氮化硅生瓷带性能参数
名称 | 氮化硅生瓷带 |
型号 | HP-TS06 |
外观颜色 | 灰黑色 |
规格尺寸(mm) | 169/203(6 吋、8 吋) |
厚度(um) | 50-500可定制 |
表面测粗度 | ≤0.3 |
烧结收缩率(X、Y) | 17.3±0.3% |
烧结收缩率(Z) | 25±0.3% |
介电常数 | 8.3±1(10GHz) |
介质损耗 | 0.002(1MHz) |
热导率(W/m*k) | ≥80 |
热膨胀系数(ppm/℃) | 2.9 |
抗折强度(MPa) | ≥700 |
绝缘电阻(Ω*cm) | 1013 |
击穿电压(V/mil) | ≥1000 |
等静压条件 | 3000psi,60-70℃预热10min,保压10min |
烧结条件 | 氮气+湿H2; 1780-1850℃,6h |
储存条件 | 洁净密封、18-28℃,相对湿度40-70RH |